Soitec S.A. (SLOIF)

Soitec S.A., una empresa fundada en 1992 y con sede en Bernin, Francia, es un líder mundial en el desarrollo y la producción de materiales semiconductores avanzados. Estos sustratos altamente especializados son cruciales para la fabricación de los microchips que alimentan una amplia gama de dispositivos electrónicos en todo el mundo. Su tecnología es integral para la electrónica de consumo, como smartphones, tablets y ordenadores personales, y se extiende a infraestructuras de TI críticas como servidores y centros de datos. Más allá de la informática personal, los materiales de Soitec también se encuentran en componentes electrónicos de automoción, dispositivos conectados a internet y equipos industriales y médicos especializados. La empresa ofrece una gama completa de sustratos de ingeniería, cada uno diseñado para aplicaciones específicas de alto rendimiento. Por ejemplo, su tecnología Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) soporta procesadores y sistemas de radar en el sector de automoción. La computación de alto rendimiento se beneficia de sus ofertas PD-SOI y FinFET-SOI. En el ámbito de las comunicaciones móviles, los sustratos RF-SOI son fundamentales para los módulos front-end tanto en 4G LTE como en los últimos smartphones 5G (que abarcan las frecuencias sub-6 GHz y mmWave). Además, Soitec suministra productos power-SOI para la integración de funciones de alto y bajo voltaje dentro de circuitos integrados de potencia, fundamentales para usos industriales y de automoción. Las soluciones de redes ópticas utilizan su Smart photonics-SOI, mientras que el Smart Imager-SOI se ha desarrollado para la detección de imágenes 3D de vanguardia. La empresa también contribuye al transporte sostenible con Auto Smartsic para la movilidad ecológica. Ampliando aún más su cartera, Connect RF-GaN facilita la infraestructura 5G y mejora los amplificadores de potencia de los smartphones. Los filtros de ondas acústicas superficiales de alto rendimiento dependen de los sustratos de ingeniería Connect-POI, y las obleas epitaxiales de Nitruro de Galio (GAN) están disponibles para el desarrollo de sistemas de gestión de energía eficientes.