ROHM Co., Ltd. (ROHCY)

ROHM Co., Ltd., un líder global con sede en Kyoto, Japón, se especializa en la producción y distribución de una amplia gama de componentes electrónicos. Fundada en 1940 como Toyo Electronics Industry Corporation, la empresa adoptó su nombre actual en 1981. Sus operaciones están estructuradas en tres divisiones principales: Circuitos Integrados (ICs), Dispositivos de Semiconductores Discretos y Módulos. La extensa oferta de ICs de la empresa abarca diversas soluciones, incluyendo memorias, dispositivos de gestión lineal y de potencia, circuitos de temporización, conmutadores, puertas lógicas, convertidores de datos, sensores sofisticados, controladores de visualización y motores, chips de interfaz, LSI de comunicación y audio/video, y microcontroladores. Dentro de su cartera de semiconductores discretos, ROHM suministra componentes esenciales como MOSFETs, transistores bipolares y diodos. También produce dispositivos de potencia avanzados, tales como transistores de potencia, dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC), IGBTs y Módulos de Potencia Inteligentes (IPMs). Los componentes pasivos como resistencias y diversos condensadores (polímero conductor, tantalio) también forman parte de su gama. El segmento de módulos de ROHM incluye comunicaciones inalámbricas, unidades de carga inalámbrica y cabezales de impresión, mientras que su línea de dispositivos ópticos cuenta con LEDs, pantallas LED, diodos láser y sensores ópticos. Además, la empresa suministra chipsets como productos comerciales y ofrece servicios de fundición para tecnologías especializadas como MEMS piezoeléctricos de película delgada, obleas y WL-CSPs. Estos diversos productos tienen aplicaciones críticas en los sectores industrial, automotriz y de electrónica de consumo. ROHM ha establecido colaboraciones significativas, incluyendo una asociación con Geely Automobile Group Co., Ltd. para avanzar en tecnologías automotrices y una alianza con Delta Electronics, Inc. para el desarrollo y fabricación de dispositivos de potencia de nitruro de galio.