LandMark Optoelectronics Corporation (3081.TWO)

Fundada en 1997 y con sede en Tainan City, Taiwán, LandMark Optoelectronics Corporation se especializa en la producción y distribución global de obleas epitaxiales. Estas obleas avanzadas, basadas en arseniuro de galio (GaAs) y fosfuro de indio (InP), atienden a un amplio espectro de industrias, incluyendo las comunicaciones ópticas, productos de consumo y aplicaciones industriales y especializadas. El alcance de la empresa se extiende por Taiwán, Estados Unidos, China continental y mercados internacionales. La cartera de productos de LandMark abarca obleas epi de diodos láser (LD) de InP, vitales para los diodos láser empleados en las comunicaciones ópticas. También fabrican obleas epi de fotodetectores, esenciales para diversos tipos de detectores como fotodetectores y detectores de avalancha, así como para el seguimiento de la eficiencia del láser y para sensores dentro de los sistemas de comunicaciones ópticas. Además, la empresa suministra obleas epi de LD de GaAs, que son componentes integrales para el mecanizado por láser de alta potencia, escáneres de códigos de barras, sistemas GPS, sensores 3D, tecnología LiDAR en vehículos autónomos, dispositivos médicos estéticos y equipos de centros de datos. Como complemento a su oferta de obleas, LandMark Optoelectronics también suministra semiconductores ópticos, diodos láser (LD) y compuestos de InAlGaP/AlGalnAs.