Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. (2455.TW)

Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd., establecida en 1996 y con sede en Taoyuan City, Taiwán, se especializa en la investigación, desarrollo, producción y venta global de sofisticadas obleas epitaxiales de semiconductores optoelectrónicos y componentes relacionados. La amplia cartera de productos de la empresa abarca una gama de transistores bipolares de heterounión (HBTs) de arseniuro de galio (GaAs), incluyendo versiones estándar, de bajo voltaje de encendido y de alto voltaje, así como transistores de alta movilidad electrónica pseudomórficos (PHEMTs) de GaAs y BiHEMTs. También suministran obleas epi de HBT y HEMT de fosfuro de indio (InP) y obleas epi de nitruro de galio (GaN). Además, Visual Photonics Epitaxy proporciona obleas epitaxiales para diversos fotodetectores, tales como PDs de GaAs y múltiples tipos de PDs de arseniuro de indio y galio (InGaAs) (estándar, de avalancha y listos para difusión de zinc, incluyendo opciones de onda larga). Su oferta se extiende además a obleas epi para diodos láser, específicamente LDs de Fabry-Pérot (F-P) y de retroalimentación distribuida (DFB), y láseres de emisión superficial de cavidad vertical (VCSELs), junto con obleas epi para células solares. Más allá de los productos, la empresa también ofrece servicios de fundición epi a medida para sus clientes en Taiwán, Estados Unidos y otras regiones internacionales.