RFHIC Corporation (218410.KQ)

Fundada en 1999 y con sede en Anyang-si, Corea del Sur, RFHIC Corporation desarrolla y fabrica componentes avanzados de radiofrecuencia (RF) y microondas. Estos productos se suministran globalmente a diversos sectores, incluyendo infraestructuras de comunicación inalámbrica, sistemas de radar tanto para fines comerciales como de defensa, y las industrias industrial, científica y médica (ISM). La oferta de la empresa abarca transistores de potencia RF, específicamente variedades de nitruro de galio (GaN) sobre carburo de silicio (SiC), junto con circuitos integrados de microondas monolíticos (MMIC) de GaN y arseniuro de galio (GaAs) y divisores activos. También proporcionan varios amplificadores de potencia, tales como amplificadores híbridos, de palé, de banda ancha, de módulo y de bajo ruido, incluyendo módulos especializados de transmisión/recepción (T/R) de GaN. Además, RFHIC produce subsistemas sofisticados como generadores de RF/microondas, transmisores de RF y combinadores de alta potencia. Estos componentes esenciales dan soporte a una amplia gama de aplicaciones. En telecomunicaciones, son cruciales para 4G LTE, 5G, Wi-Fi, radio punto a punto y comunicaciones por satélite (SatCom). En cuanto a la energía RF, su tecnología se utiliza en calentamiento y secado por microondas, aceleradores de partículas, iluminación por plasma, fabricación de semiconductores, gasificación de residuos, procesamiento de materiales avanzados (fibra de carbono y compuestos), láseres de rayos X asistidos por microondas, ablación de tumores por microondas y ciencias biológicas/de la salud. Dentro del ámbito de la defensa, los productos de RFHIC son vitales para radar, comunicaciones militares (milcom), guerra electrónica y comunicaciones por satélite/terminales de muy pequeña apertura (SatCom/VSAT).